Spot SI2309CDS-T1-GE3 SOT23-3 MOS tubo de efecto de campo Mosfet
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Número de parteSI2309CDS-T1-GE3
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TipoICS LÓGICA
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Corriente continuaEl más nuevo
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Estado libre de plomoRoHS
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Condiciónoriginales 100%
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UsoComponentes electronicos
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Plazo de ejecuciónEnvío inmediato
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EmbalajeEmbalaje estándar
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Temperatura de funcionamiento-45C + 125C
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EmpaquetadoCaja de bandeja
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Lugar de origenChina
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Nombre de la marcaVishay Siliconix
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CertificaciónSI2309CDS-T1-GE3
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Número de modeloSI2309CDS-T1-GE3
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Cantidad de orden mínimaPC 1
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Preciocontact us
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Detalles de empaquetadoEstándar/Nuevo/Original
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Tiempo de entrega1 día
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Condiciones de pagoLC, D/A, D/P, T/T, GET, NET1, Western Union
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Capacidad de la fuente1000000 piezas/día
Spot SI2309CDS-T1-GE3 SOT23-3 MOS tubo de efecto de campo Mosfet
Mosfet del tubo del efecto de campo del MOS del punto SI2309CDS-T1-GE3 SOT23-3
SI2309CDS-T1-GE3 |
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Fabricante
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Vishay Siliconix
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Fabricante Product Number
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SI2309CDS-T1-GE3
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Descripción
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MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3
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Fabricante Standard Lead Time
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50 semanas
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Descripción detallada
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P-canal 60 V 1.6A (Tc) 1W (TA), 1.7W (Tc) soporte SOT-23-3 (TO-236) de la superficie
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TIPO
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DESCRIPCIÓN
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|---|---|
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Categoría
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Productos de semiconductor discretos
Transistores - FETs, MOSFETs - solos
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Mfr
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Vishay Siliconix
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Serie
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TrenchFET®
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Situación del producto
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Activo
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Tipo del FET
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P-canal
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Tecnología
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MOSFET (óxido de metal)
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Drene al voltaje de la fuente (Vdss)
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60 V
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Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C
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1.6A (Tc)
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Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)
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4.5V, 10V
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Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs
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345mOhm @ 1.25A, 10V
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Identificación de Vgs (th) (máximo) @
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3V @ 250µA
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Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs
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4,1 nC @ 4,5 V
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Vgs (máximo)
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±20V
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Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds
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210 PF @ 30 V
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Característica del FET
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Disipación de poder (máxima)
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1W (TA), 1.7W (Tc)
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Temperatura de funcionamiento
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Montaje del tipo
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Soporte superficial
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Paquete del dispositivo del proveedor
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SOT-23-3 (TO-236)
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Paquete/caso
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TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Número bajo del producto
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SI2309
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| TIPO DE RECURSO | VÍNCULO |
|---|---|
| Fichas técnicas | SI2309CDS |
| Información sobre el medio ambiental | |
| Ficha técnica del HTML | SI2309CDS |
| EDA Models | SI2309CDS-T1-GE3 ultra del bibliotecario |
| CUALIDAD | DESCRIPCIÓN |
|---|---|
| Situación de RoHS | ROHS3 obediente |
| Nivel de la sensibilidad de humedad (MSL) | 1 (ilimitado) |
| Situación del ALCANCE | ALCANCE inafectado |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| PAC1934T-I/J6CX | MICROCHIP | 22+ | WLCSP16 |
| SSM2529ACBZ-R7 | ADI | 22+ | WLCSP16 |
| FAN53526UC00X | EN | 22+ | WLCSP-15 |
| NX20P5090UKAZ | NXP | 22+ | WLCSP15 |
| NX20P5090UK | NXP | 22+ | WLCSP15 |
| STM32L4R9ZIY6PTR | STM | 22+ | WLCSP-144 |
| STM32F429ZIY6TR | ST | 22+ | WLCSP143 |
| RT9746HWSC | RICHTEK | 22+ | WL-CSP-12B |
| MX25R1635FBDIL0 | MXIC/ | 22+ | WLCSP-12 |
| MX25R6435FBDIL0 | MXIC | 22+ | WLCSP-12 |
| W25Q32JWBYIQ | 22+ | WLCSP12 | |
| NX5P3090UK | NXP | 22+ | WLCSP12 |
| TCC-303A-RT | ENCENDIDO | 22+ | WLCSP12 |
| STM32L496VGY6PTR | ST | 22+ | WLCSP100 |
| ADG884BCBZ-REEL7 | ADI | 22+ | WLCSP10 |
| EFC2K102ANUZTDG | EN | 22+ | WLCSP10 |
| SGM40661YG/TR | SGM | 22+ | WLCSP-1.30 |
| SGM6032-1.2YG/TR | SGMICRO () | 22+ | WLCSP-1.21 |
| P9222-3AZGI8 | RENESAS | 22+ | WLCSP |
| PCMF1USB3S | NXP | 22+ | WLCSP |
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¿6.Do usted proporcionar servicios de BOM?
Sí, proporcionamos servicio todo en uno de la compra, por favor nos enviamos su lista de BOM.
MC33202DR2G |
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Número de parte de Digi-Key
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MC33202DR2GOSTR-ND - Cinta y carrete (TR)
MC33202DR2GOSCT-ND - Corte la cinta (los CT)
MC33202DR2GOSDKDR-ND - Digi-Reel®
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Fabricante
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Fabricante Product Number
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MC33202DR2G
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Descripción
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CIRCUITO 8SOIC DEL GP 2 DE IC OPAMP
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Fabricante Standard Lead Time
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45 semanas
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Descripción detallada
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Carril-a-carril de fines generales 8-SOIC del circuito del amplificador 2
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