MOSFET P-CH 12V 2.2A 4-Pin DSBGA del transporte de CSD23202W10 SEMICON
UE RoHS |
Obediente |
ECCN (LOS E.E.U.U.) |
EAR99 |
Situación de la parte |
Activo |
Automotriz |
No |
PPAP |
No |
Categoría de producto |
MOSFET del poder |
Configuración |
Solo dren dual |
Tecnología de proceso |
NexFET |
Modo del canal |
Aumento |
Tipo de canal |
P |
Número de elementos por microprocesador |
1 |
Voltaje máximo de la fuente del dren (v) |
12 |
Voltaje de fuente de puerta máximo (v) |
6 |
Voltaje máximo del umbral de la puerta (v) |
0,9 |
Dren continuo máximo (a) actual |
2,2 |
Corriente máxima de la salida de la fuente de la puerta (nA) |
100 |
IDSS máximo (UA) |
1 |
Resistencia máxima de la fuente del dren (mOhm) |
53@4.5V |
Carga típica @ Vgs (nC) de la puerta |
2.9@4.5V |
Capacitancia entrada típica @ Vds (PF) |
394@6V |
Disipación de poder máxima (mW) |
1000 |
Tiempo de caída típico (ns) |
21 |
Tiempo de subida típico (ns) |
4 |
Tiempo de retraso típico de la vuelta-Apagado (ns) |
58 |
Tiempo de retraso de abertura típico (ns) |
9 |
Temperatura de funcionamiento mínima (°C) |
-55 |
Temperatura de funcionamiento máximo (°C) |
150 |
Empaquetado |
Cinta y carrete |
Paquete del proveedor |
DSBGA |
Pin Count |
4 |
Nombre del paquete estándar |
BGA |
Montaje |
Soporte superficial |
Altura del paquete |
0,28 (máximo) |
Longitud del paquete |
1 |
Anchura del paquete |
1 |
El PWB cambió |
4 |
Forma de la ventaja |
Bola |