Mosfet original de seda del punto de la pantalla D de CSD13380F3 MOS Field Effect Tube PICOSTAR3
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Número de modeloCSD13380F3
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CondiciónCSD13380F3
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Corriente - Salida / CanalEstándar
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Potencia - Máx.Estándar
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TipoOtro, IC
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Paquete/casoDIP20,28-VQFN expuso el cojín
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Plazo de ejecuciónEn existencia
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Lugar de origenCHINA
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Nombre de la marcaCSD13380F3
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CertificaciónCSD13380F3
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Número de modeloCSD13380F3
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Cantidad de orden mínima6 PCS
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PrecioAsk
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Detalles de empaquetadoCaja
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Tiempo de entrega1DAYS
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Condiciones de pagoT/T, YESCROW, HORSE/GETS BLANCO QUE PRUEBA, Western Union, D/P, T/T
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Capacidad de la fuente1300000pcs/Day
Mosfet original de seda del punto de la pantalla D de CSD13380F3 MOS Field Effect Tube PICOSTAR3
Mosfet original de seda del punto de la pantalla D de CSD13380F3 MOS Field Effect Tube PICOSTAR3
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TIPO
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DESCRIBA
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categoría
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Productos de semiconductor discretos
Transistor - FET, MOSFET - solo
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fabricante
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Texas Instruments
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serie
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FemtoFET™
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situación del producto
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en existencia
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Tipo del FET
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Canal N
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tecnología
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MOSFET (óxido de metal)
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Voltaje de la Dren-fuente (Vdss)
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12V
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Corriente en 25°C - dren continuo (identificación)
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3.6A (TA)
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Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)
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1.8V, 4.5V
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En-resistencia (máxima) en diversa identificación, Vgs
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76 miliohmios @ de 400mA, 4.5V
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Vgs (th) (máximo) en diversos Ids
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1.3V @ 250µA
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Carga de la puerta (Qg) en diverso Vgs (máximo)
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1.2nC @ 4.5V
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Vgs (máximo)
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8V
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Capacitancia entrada (CISS) en diverso Vds (máximo)
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156 PF @ 6V
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Función del FET
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Disipación de poder (máxima)
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500mW (TA)
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Temperatura de funcionamiento
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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tipo de la instalación
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Tipo superficial del soporte
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Empaquetado del dispositivo del proveedor
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3-PICOSTAR
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Paquete/recinto
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3-XFDFN
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Número básico del producto
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CSD13380
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