La energía baja JFET de Semicon TL062CN CP TL062CDR CT SOP/DIP-8 entró el amplificador operativo
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Número de modeloTL062CDR
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Corriente - Salida (Máx.)TL062CDR
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DescripciónEstándar
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Potencia (vatios)Estándar
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FrecuenciaEstándar
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Frecuencia - Máx.Estándar
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Poder aisladoEstándar
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Lugar de origenCHINA
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Nombre de la marcaTL062CDR
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CertificaciónTL062CDR
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Número de modeloTL062CDR
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Cantidad de orden mínima7 piezas
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PrecioSend email
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Detalles de empaquetadoCartón/caja
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Tiempo de entrega1day
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Condiciones de pagoT/T, FIDEICOMISO, ALIPAY, HORSE/GETS BLANCO QUE PRUEBA, Paypal, Western Union
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Capacidad de la fuente500000pcs/Day
La energía baja JFET de Semicon TL062CN CP TL062CDR CT SOP/DIP-8 entró el amplificador operativo
La energía baja JFET de Semicon TL062CN CP TL062CDR CT SOP/DIP-8 entró el amplificador operativo
| Cualidades | valor de parámetro | |
|---|---|---|
| Catálogo de producto | El FET entró el amperio de Op. Sys. | |
| Tipo de Op. Sys. del amperio | J-FET | |
| Número de grupos del amplificador | 2 | |
| Producto del ancho de banda del aumento (GBP) | 1MHz | |
| Tarifa de ciénaga (SENIOR) | 3.5V/us | |
| tipo de la salida | - | |
| voltaje | 7V~36V, ±3.5V~18V | |
| Corriente de la fuente de cada canal | 200μA | |
| Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C |
Tarifa de ciénaga: 3,5 V/µs
Producto del ancho de banda del aumento: 1MHz
Actual - prejuicio entrado: 30pA
Voltaje - compensación entrada: 3mV
Actual - fuente de alimentación: 200µA
Voltaje - fuente de alimentación, sola/dual (±): 7 V ~ 36 V, ±3.5 V ~ 18 V
Temperatura de funcionamiento: 0°C ~ 70°C
Montaje del tipo: Soporte superficial
Paquete/caso: 8-SOIC (0,154", 3.90m m anchos)
Paquete del dispositivo del proveedor: 8-SOIC
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